概述
这P沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的功率沟槽的进程,已特别定制,以最大限度地减少通态电阻和低栅极电荷保持卓越的SW瘙痒性能。
这些器件非常适合于便携式电子产品的应用:负荷开关和电源管理,电池充电电路,直流/直流转换。
特点
-1.5 A,30 V
R DS(ON)= 125 m宽的V GS = 10V
R DS(ON)= 200 m宽的V GS = 4.5 V 。
低栅极电荷(NC典型)
非常低R DS(ON),高性能的沟槽技术。
业界标准的SOT - 23封装的高功率版本。 相同的引脚的SOT - 23高出30%的功率处理能力。
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