概述
使用飞兆半导体先进的PowerTrench过程中,已特别针对减少通态电阻producted的P沟道MOSFET。
此设备是非常适合的电源管理和负载开关应用常见于笔记本电脑和便携式电池包。
特点
最大R DS(ON)=9.3mΩatV GS = 10V,I D = - 13A
最大R DS(ON)=14.8mΩ在V GS = 4.5V,I D = - 11A
扩展的V GS电池的应用范围(- 25V)
6KV典型(注3)HBM ESD保护水平
高性能沟槽技术非常低R DS(ON)
高功率和电流移交能力
高功率和电流移交能力
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
------------------------------------------------------------------------------------------
资料录入: 润百年@电源管理IC
(RCC),电子元器件全球独立供应 商
本条信息深圳润百年电子有限公司所有,未经批准不得复制。