概述
这种P沟道2.5V指定的MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench进程,已特别定制,以最大限度地减少通态电阻和出色的开关性能保持低栅极电荷。
这些器件非常适合于便携式电子产品的应用:负荷开关和电源管理,电池充电电路和DC / DC转换。
特点
-1.3一个,-20 V。
R DS(ON)= 0.20 W @ V GS = -4.5 V
R DS(ON)= 0.27 W @ V GS = -2.5 V
低栅极电荷(典型值3.6 NC)。
非常低R DS(ON),高性能的沟槽技术。
SuperSOT™-3提供低RDS(ON)和高出30%的功率处理能力比SOT23封装在相同的空间
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