概述
使用飞兆半导体先进的PowerTrench过程中,已特别针对减少通态电阻producted的P沟道MOSFET。
此设备是非常适合的电源管理和负载开关应用常见于笔记本电脑和便携式电池包。
特点
最大R DS(ON)=13mΩ,在V GS = 10V,I D = - 11A
最大R DS(ON)=21.8mΩ在V GS = 4.5V,I D = - 9A
扩展的V GS电池的应用范围(- 25V)
HBM ESD保护水平5.4千伏(典型值)(注3)
高性能沟槽技术非常低R DS(ON)
高功率和电流移交能力
符合RoHS标准
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
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