概述
已专此N沟道MOSFET,以改善整体效率直流/直流转换器,PWM控制器采用同步或常规的开关。 它已被优化的小开关稳压器的使用,在一个小型封装提供极低的R DS(ON)和栅极电荷(Q G) 。
特点
0.7A,20V。
R DS(ON)=300米W @ V GS = 4.5V
R DS(ON)=400米W @ V GS = 2.5V
低栅极电荷(1.1nC的典型)
非常低R DS(ON),高性能的沟槽技术
紧凑型的行业标准采用SC70 - 6表面贴装封装
应用/框图(S)
DC / DC转换器
电源管理
负荷开关
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
------------------------------------------------------------------------------------------
资料录入: 润百年@电源管理IC
(RCC),电子元器件全球独立供应 商
本条信息深圳润百年电子有限公司所有,未经批准不得复制。