概述
这种互补MOSFET半桥器件采用飞兆半导体先进的PowerTrench进程,已特别定制,以最大限度地减少通态电阻和出色的开关性能保持低栅极电荷。
特点
问题1:N沟道
9.3 A,30 V
R DS(ON)= 18 m宽的V GS = 10V,
R DS(ON)= 23 m宽的V GS = 4.5V
问题2:P通道
5.6A,-20 V。
R DS(ON)= 46 m宽的V GS = 4.5V,
R DS(ON)= 63 m宽的V GS = 2.5V
应用/框图(S)
DC / DC转换器
电源管理
负荷开关
电池保护
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