概述
这个P -通道MOSFET采用飞兆半导体先进的低电压的PowerTrench ®过程。 电池电源管理应用进行了优化。
特点
最大R DS(ON)=95mΩ,在V GS = 4.5V,I D = 2.6A
最大R DS(ON)=115mΩ,在V GS = 2.5V,I D = 2.2A
最大R DS(ON)=160mΩ,在V GS = 1.8V,I D = 1.9A
最大R DS(ON)=330mΩatV GS = 1.5V,I D = 1.0A
非常低的水平栅极驱动的要求,允许操作在1.5V电路
非常小的封装外形采用SC70 - 6
符合RoHS标准
应用/框图(S)
电池管理
负荷开关
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