概述
这种P沟道1.8V指定的MOSFET采用飞兆半导体的低电压的PowerTrench工艺。 电池电源管理应用进行了优化。
特点
-5.5一个,-20 V。
的R DS(ON)= 33 m宽的V GS = 4.5V
的R DS(ON)= 43 m宽的V GS = 2.5V
的R DS(ON)= 60 m宽的V GS = 1.8V
开关速度快。
非常低R DS(ON),高性能的沟槽技术。
应用/框图(S)
电池管理
负荷开关
电池保护
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