FDC6305N

概述

这些N沟道门槛低2.5V指定的MOSFET都采用了飞兆半导体先进的PowerTrench过程中，已特别定制，以最大限度地减少通态电阻，同时保持出色的开关性能低栅极电荷。

特点

2.7一个，20诉R DS（ON）= 0.08 W @ V GS = 4.5V，电阻R DS（ON）= 0.12 W @ V GS = 2.5V
低栅极电荷（3.5nC的典型）。
开关速度快。
非常低R DS（ON），高性能的沟槽技术。
SuperSOT™-6包：体积小（比标准SO - 8小72％）;低调（1mm厚）。

应用/框图（S）

负荷开关
DC / DC转换器
马达驱动

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