概述
N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进功率沟槽®过程中,已特别针对减少的通态电阻和尚未maintaiin出色的开关性能。
特点
最大R DS(ON)= 55MΩ在V GS = 10V,I D = 4.5
最大R DS(ON)= 80MΩ在V GS = 3.6 V,I D = 3.7
高性能沟槽技术非常低R DS(ON)
一种广泛使用的表面贴装封装的高功率和电流处理能力
100%UIL的测试
符合RoHS标准
应用/框图(S)
DC - DC转换
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
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