概述
这P沟道2.5V指定的MOSFET使用了飞兆半导体先进的PowerTrench工艺坚固的门版本。 它已被优化的栅极驱动电压范围广(2.5V - 12V)电源管理应用。
特点
-4.5一个,-20 V。
R DS(ON)= 0.053 W @ V GS = -4.5 V
R DS(ON)= 0.080 W @ V GS = -2.5 V
坚固的门等级(± 12V)
开关速度快
非常低R DS(ON),高性能的沟槽技术
应用/框图(S)
电池管理
负荷开关
电池保护
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