概述
该P沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产。 电池电源管理应用进行了优化。
特点
最大R DS(ON)= 50MΩ@ V GS = 10 V,I D = - 4A
最大R DS(ON)= 75MΩ@ V GS = -4.5 V,I D = 3.4A
低栅极电荷
高性能沟槽技术非常低R DS(ON)
符合RoHS标准
应用/框图(S)
电池管理
负荷开关
电池保护
直流/直流转换
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
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