概述
这N沟道MOSFET已专为提高整体效率,并最大限度地减少直流/直流转换器的开关节点振铃,使用同步或传统开关的PWM controllers.It已优化的低栅电荷,低 R DS(ON),快速的开关速度和体二极管反向恢复性能。
特点
最大R DS(ON)= 8.2MΩ在V GS = 10V,I D = 13.5
最大R DS(ON)= 11.7mΩat的V GS = 4.5V,I D = 11.5一
低R DS(on)和高效率的先进的封装和硅结合
MSL1健壮的包装设计
100%UIL的测试
符合RoHS标准
应用/框图(S)
主开关在隔离DC - DC
同步整流
负荷开关
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
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