概述
N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench ®过程中,已特别针对减少通态电阻和开关损耗。 GS齐纳已被添加到提高ESD电压水平。
特点
最大R DS(ON)= 24MΩ在V GS = 10V,I D = 8.3
最大R DS(ON)= 35MΩ在V GS = 4.5V,I D = 6.8
HBM ESD保护水平> 6千伏(典型值)(注4)
竞争沟槽技术相比,非常低的Qg和Qgd
开关速度快
100%UIL的测试
符合RoHS标准
应用/框图(S)
DC - DC转换
逆变器
同步整流
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
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