概述
P沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进功率沟槽®过程中,已特别针对减少通态电阻。 这devie是非常适合的电源管理和负载开关应用常见于笔记本电脑和便携式电池包。
特点
最大R DS(ON)=20.0mΩ在V GS = 10V,I D = 8.5A
最大R DS(ON)=37.0mΩ在V GS = 4.5V,I D = 6.3A
扩展V GSS电池的应用范围(- 25V)
高性能沟槽技术非常低R DS(ON)
高功率和电流处理能力
HBM ESD保护水平> 7kV典型(注4)
100%UIL的测试
终止是无铅和符合RoHS
应用/框图(S)
高压侧直流 - 直流降压转换器
笔记本电池电源管理
在笔记本电脑的负荷开关
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
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