概述
此设备是专门为一个单一封装解决方案,双切换在蜂窝手机和其他超便携应用的要求。 它具有两个独立的N沟道MOSFET与低通态电阻最低的导通损耗。 这些MicroFET的2x2封装提供了卓越的物理尺寸的散热性能和线性模式的应用程序非常适合。
特点
最大R DS(ON)= 68MΩ在V GS = 4.5V,I D = 3.8一个
最大R DS(ON)= 88MΩ在V GS = 2.5V,I D = 3.4
最大R DS(ON)= 123MΩ,在V GS = 1.8V,I D = 2.9
低调,在新封装的MicroFET的2x2毫米 - 0.8毫米最大 -
符合RoHS标准
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