概述
此设备是专门为在蜂窝手机和其他超便携应用的电池充电或负载开关。 它采用了低通态电阻MOSFET。
这些MicroFET 2X2封装提供了卓越的物理尺寸的散热性能和线性模式的应用程序非常适合。
特点
最大R DS(ON)=30mΩ时,在V GS = 4.5V,I D = 7.8A
最大R DS(ON)=37mΩ,在V GS = 2.5V,I D = 6.6A
最大R DS(ON)=50MΩ在V GS = 1.8V,I D = 5.5A
最大R DS(ON)=90mΩ,在V GS = 1.5V,I D = 2.0A
低调 - 0.8毫米最大 - 在新封装的MicroFET 2X2毫米
HBM ESD保护水平> 3KV典型(注3)
无卤素化合物和氧化锑
符合RoHS标准
应用笔记
AN - 0953:大会的MicroFET 2X2包装准则 “(133 K)2011年8月05,
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
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