概述
已专此N沟道MOSFET,以改善整体效率直流/直流转换器,PWM控制器采用同步或常规的开关。 它已被优化的低栅电荷,低R DS(ON)和快速开关速度。
特点
13,30 VR RDS(ON)=9mΩ@ V GS = 10 V
R DS(ON)=12mΩ,V GS = 4.5V
低栅极电荷(10nC @ V GS = 5V)
非常低的米勒电荷(3NC)
低RG(1欧姆)
符合RoHS标准
应用/框图(S)
为DC - DC降压转换器控制开关
笔记本核心电压
电信/网络负载点
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