概述
已专此N沟道MOSFET,以改善整体效率直流/直流转换器,PWM控制器采用同步或常规的开关。 它已被优化的低栅电荷,低R DS(ON)和快速开关速度。
特点
最大R DS(ON)= 5.7MΩ在V GS = 10V,I D = 20
最大R DS(ON)= 15.0MΩ在V GS = 4.5V,I D = 15.2一个
最大R DS(ON)= 15.0MΩ在V GS = 4.5V,I D = 15.2一个
符合RoHS标准
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
------------------------------------------------------------------------------------------
资料录入: 润百年@电源管理IC
(RCC),电子元器件全球独立供应 商
本条信息深圳润百年电子有限公司所有,未经批准不得复制。