概述
这种P沟道1.8V指定的MOSFET采用飞兆半导体的低电压的PowerTrench工艺。 电池电源管理应用进行了优化。
特点
-6,- 12V
的R DS(ON)= 26 m宽的V GS = -4.5 V
的R DS(ON)= 35 m宽的V GS = -2.5 V
的R DS(ON)= 53 m宽的V GS = -1.8 V
开关速度快
高功率和电流处理能力
应用/框图(S)
电池管理
负荷开关
电池保护
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
------------------------------------------------------------------------------------------
资料录入: 润百年@电源管理IC
(RCC),电子元器件全球独立供应 商
本条信息深圳润百年电子有限公司所有,未经批准不得复制。