概述
P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench进程,已特别定制,以最大限度地减少通态电阻和出色的开关性能保持低栅极电荷。 这些器件非常适合于便携式电子产品的应用。
特点
-1.2一个,-20诉R DS(ON)= 0.18 W @ V GS = -4.5 VR的DS(ON)= 0.25 W @ V GS = -2.5 V 。
低栅极电荷(典型值3.3 NC)。
非常低R DS(ON),高性能的沟槽技术。
紧凑型的行业标准采用SC70 - 6表面贴装封装。
应用/框图(S)
负荷开关
电池保护
电源管理
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