概述
此设备是专门为在蜂窝手机和其他超便携应用的电池充电开关的单一封装解决方案。 它具有两个独立的P沟道MOSFET与低通态电阻最低的导通损耗。 在典型的共同源配置连接时,双向电流流是可能的。
这些MicroFET 2X2薄型封装提供了卓越的热性能和它的物理尺寸非常适合于线性模式应用。
特点
最大R DS(ON)= 60MΩ在V GS = -4.5 V,I D = -3.6一个
最大R DS(ON)= 80MΩ在V GS = -2.5 V,I D = -3.0一个
最大R DS(ON)= 110MΩ,在V GS = -1.8 V,I = -2.0一个
最大R DS(ON)= 170MΩ,在V GS = -1.5 V,I D = -1.0一个
薄型0.55毫米,最大 - 在新的封装的MicroFET的2x2毫米的超薄
HBM ESD保护水平> 2.4千伏(典型值)(注3)
符合RoHS标准
无卤素化合物和氧化锑
应用/框图(S)
电池保护
电池管理
负荷开关
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