特点
典型R DS(ON)=52.5mΩ在V GS = 4.5V,I D = - 4A
典型R DS(ON)=75.3mΩ在V GS = 2.5V,I D = 3.2A
开关速度快
低栅极电荷(6.9nC的典型)
高性能沟槽技术非常低R DS(ON)
SuperSOT™封装:占地面积小(比标准SO - 8小72%);低调(1mm厚)。
符合RoHS标准
合格的AEC Q101
应用/框图(S)
负荷开关
电池保护
电源管理
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
------------------------------------------------------------------------------------------
资料录入: 润百年@电源管理IC
(RCC),电子元器件全球独立供应 商
本条信息深圳润百年电子有限公司所有,未经批准不得复制。