概述
这种互补的N和P沟道MOSFET的设计采用了飞兆半导体先进的功率沟槽®过程,以优化的R DS(ON)@ V GS = 2.5V和指定的R DS(ON)@ V GS = 1.8V 。
特点
问题1:N沟道
最大R DS(ON)=0.7Ω,在V GS = 4.5V,I D =600毫安
最大R DS(ON)=0.85Ω在V GS = 2.5V,I D =500毫安
最大R DS(ON)=1.25Ω在V GS = 1.8V,I D =150毫安
问题2:P通道
最大R DS(ON)=1.2Ω,在V GS = 4.5V,I D =350毫安
最大R DS(ON)=1.6Ω,在V GS = 2.5V,I D =300毫安
最大R DS(ON)=2.7Ω,在V GS = 1.8V,I D =150毫安
ESD保护二极管(注3)
符合RoHS标准
应用/框图(S)
电平转换
电源转换器电路
负载/电源开关手机,寻呼机
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
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