概述
这N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体的先进功率沟槽®过程中已特别定制,以尽量减少对国家resisitance的,但保持出色的开关性能。 GS齐纳已被添加到提高ESD电压水平。
特点
最大R DS(ON)= 105mΩat的V GS = 10V,I D = 2.7
最大R DS(ON)= 160mΩat的V GS = 4.5V,I D = 2.1一个
高性能沟槽技术非常低R DS(ON)
一种广泛使用的表面贴装封装的高功率和电流处理能力
CDM的ESD保护水平> 2KV典型(注4)
100%UIL的测试
符合RoHS标准
应用/框图(S)
DC - DC转换
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
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