概述
这四MOSFET解决方案提供了10倍,功耗超过二极管桥的改善。
特点
Q1/Q4:N沟道
最大R DS(ON)= 110MΩ,在V GS = 10V,I D = 3
最大R DS(ON)= 175MΩ,在V GS = 6伏,I D = 2.4
第二和第三季度:N沟道
最大R DS(ON)= 190MΩ,在V GS = 10 V,I D = -2.3一个
最大R DS(ON)= 235MΩ,在V GS = -4.5 V,I D = -2.1一个
在PD解决方案大幅效率受益
符合RoHS标准
应用/框图(S)
有源电桥
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
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