概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的平面条形DMOS技术。
尤其是针对这种先进的技术,以尽量减少通态电阻,提供出色的开关性能,并承受高能量脉冲在雪崩和通讯模式。 这些设备非常适合基于互补半桥拓扑电子灯镇流器。
特点
1.56A,- 400V,
的R DS(ON)= 6.5 W @ V GS = 10 V
低栅极电荷(典型10nC)
低CRSS(典型值6.5pF)
快速开关
100%的雪崩测试
改进的dv / dt能力
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
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