FDS86240

概述

N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的功率沟槽®进程，已优化的R DS（ON）开关性能和耐用性生产。

特点

最大R DS（ON）= 19.8 MO在V GS = 10 V，I D = 7.5一个
最大R DS（ON）= 26 MO在V GS = 6伏，I D = 6.4一个
高性能沟槽技术非常低R DS（ON）
一种广泛使用的表面贴装封装的高功率和电流处理能力
100％UIL的测试
符合RoHS标准

应用/框图（S）

DC / DC转换器和后备式UPS
分布式电源架构和VRM
24 V和48 V系统的主交换机
高电压同步整流

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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