概述
这N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体的半导体先进的PowerTrench过程已特别定制,以最大限度地减少通态电阻,同时保持出色的开关性能。
这些器件非常适用于低压和电池供电应用的低线的功率损耗和快速开关所需。
特点
2.7 A,30 V
R DS(ON)= 0.046Ω@ V GS = 10V
R DS(ON)= 0.060Ω@ V GS = 4.5V
开关速度非常快。
低栅极电荷(5nC典型)
业界标准的SOT - 23封装的高性能版本。 相同引脚SOT - 23高出30%的功率处理能力。
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