概述
此设备是专门为在蜂窝手机和其它超便携式应用的电池充电开关的单一封装解决方案。 它具有两个独立的P沟道MOSFET与低通态电阻最低的导通损耗。 在典型的共同源配置连接时,双向电流流是可能的。 这些MicroFET的2x2薄型封装提供了卓越的热性能和它的物理尺寸非常适合于线性模式应用。
特点
最大R DS(ON)= 120MΩ,在V GS = -4.5 V,I D = -3.0一个
最大R DS(ON)= 160MΩ,在V GS = -2.5 V,I D = -2.5一个
最大R DS(ON)= 240MΩ,在V GS = -1.8 V,I D = -1.0一个
低调,在新封装的MicroFET的2x2毫米 - 0.55毫米,最大 -
符合RoHS标准
无卤素化合物和氧化锑
应用/框图(S)
电池管理
负荷开关
电池保护
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