概述
这N沟道MOSFET已专门设计,提高整体效率,并尽量减少使用同步或常规的开关PWM控制器的DC / DC转换器开关节点振铃。 它具有低栅极电荷优化,低R DS(ON),开关速度快和体二极管反向恢复性能。
特点
最大R DS(ON)= 5.8MΩ在V GS = 10V,I D = 17
最大R DS(ON)= 8MΩ在V GS = 4.5V,I D = 14
低R DS(on)和高效率的先进的封装和硅结合
下一代增强机体二极管技术,软恢复工程
MSL1健壮的包装设计
100%UIL的测试
符合RoHS标准
应用/框图(S)
同步整流为直流/直流转换器
笔记本核心电压/ GPU低边开关
负载低边开关的网络点
电信二次侧整流
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
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