FDZ1905PZ

概述

此设备是专门为在蜂窝手机和其它超便携式应用的电池充电开关的单一封装解决方案。 其特点是两种常见的漏P沟道MOSFET，这使得双向电流的流动，飞兆半导体先进的1.5V的PowerTrench ®最先进的过程“低间距± WL - CSP封装的过程中，FDZ1905PZ最大限度地减少PCB空间和 R S1S2 （上）。 这种先进的WL - CSP封装MOSFET，体现在包装技术的突破，使该器件结合优良的热传输特性，超低扁平封装，低栅极电荷， 低R S1S2（上）。

特点

最大ř S1S2（ON）=126mΩ在V GS =“C4.5V，我S1S2 =”C1A
最大ř S1S2（ON）=141mΩ在V GS =“C2.5V，我S1S2 =”C1A
最大ř S1S2（ON）=198mΩ在V GS =“C1.8V，我S1S2 =”C1A
最大ř S1S2（ON）=303mΩ在V GS =“C1.5V，我S1S2 =”C1A
占用只有1.5平方毫米的电路板面积，低于50％的面积为2 × 2的BGA
超薄封装：小于0.65毫米的高度安装到PCB上时，
高功率和电流处理能力
HBM ESD保护水平4kV的（注3）
符合RoHS标准

应用/框图（S）

电池管理
负荷开关
电池保护

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