概述
这些双N和P沟道增强型功率MOSFET都采用飞兆半导体先进的PowerTrench过程中,已特别定制,以最大限度地减少通态电阻,同时保持出色的开关性能。
这些器件非常适用于低压和电池供电应用的低线的功率损耗和快速开关所需。
特点
问题1:N沟道
最大R DS(ON)=17mΩ,在V GS = 10V,I D = 8.6A
最大R DS(ON)=20MΩ,V GS = 4.5V,I D = 7.3A
问题2:P通道
最大R DS(ON)=20.5mΩ在V GS = 10V,I D = 7.3A
最大R DS(ON)=34.5mΩ在V GS = 4.5V,I D = 5.6A
一种广泛使用的表面贴装封装的高功率和移交能力
开关速度快
应用/框图(S)
逆变器
同步降压
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