概述
这60V P沟道MOSFET采用飞兆半导体的高电压的PowerTrench工艺。 它已被优化电源管理应用。
特点
-1.25一,-60诉R DS(ON)= 0.200 W @ V GS = 10 V,R DS(ON)= 0.230 W @ V GS = -4.5 V
开关速度快
非常低R DS(ON),高性能的沟槽技术。
应用/框图(S)
DC / DC转换器
负荷开关
电源管理
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