概述
这单个N -沟道MOSFET热效率的MicroFET封装已在负载点转换器专门设计用来执行。 R DS(ON)和栅极电荷设备之间提供了一个最佳平衡,可有效地用作“偏高”控制swtich或“偏低”的同步整流。
特点
最大R DS(ON)= 10.5MΩ在V GS = 10V,I D = 11.5一个
最大R DS(ON)= 15mΩat的V GS = 4.5V,I D = 10一个
低Qg的Qgd和高效的开关性能RG
符合RoHS标准
应用/框图(S)
点负载转换器
1 / 16砖同步整流
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
------------------------------------------------------------------------------------------
资料录入: 润百年@电源管理IC
(RCC),电子元器件全球独立供应 商
本条信息深圳润百年电子有限公司所有,未经批准不得复制。