RFD14N05LSM

概述

这些N沟道功率MOSFET的制造使用MegaFET过程。 这个过程中，它使用接近LSI集成电路的特征尺寸，给出了硅的最佳利用，造成出色的表现。 它们被设计为在开关稳压器，开关转换器，电机驱动器和继电器驱动器，如应用使用。 这样的业绩是通过一个特殊的栅氧化层的设计，在3V - 5V范围偏置门提供全额定导，从而促进真正的关闭电源控制直接从逻辑电平（5V）集成电路。

前身发育类型TA09870。

特点

14A，50V
R DS（ON）= 0.100 W
温度补偿的PSPICE ®模型
从CMOS，NMOS和TTL电路，则可直接驱动
峰值电流和脉冲宽度曲线
统计研究所的评价曲线
175 ° C工作温度
相关文献
TB334指引“PC板的焊接表面贴装元件”

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