概述
这些N和P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench过程中,已特别定制,以最大限度地减少通态电阻,同时保持出色的开关性能。
这些设备都被设计提供出色的功耗,在一个更大更昂贵的SO - 8和TSSOP - 8封装是不切实际的应用程序非常小的足迹。
特点
第一季度 3.0一个,20V
的R DS(ON)= 70 m宽的V GS = 4.5V
的R DS(ON)= 95 m宽的V GS = 2.5V
第二季度 -2.2一个,20V。
的R DS(ON)= 125 m宽的V GS = -4.5 V
的R DS(ON)= 190 m宽的V GS = -2.5 V
低栅极电荷
非常低R DS(ON),高性能的沟槽技术
SuperSOT -6包:体积小(比SO - 8小72%);低调(1mm厚)。
应用/框图(S)
DC / DC转换器
负荷开关
液晶显示器逆变器
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
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