概述
这双N沟道MOSFET专门设计,以改善整体效率直流/直流转换器,PWM控制器采用同步或常规的开关。 它已被优化的低栅电荷,低R DS(ON)和快速开关速度。
特点
3.0 A,20 V,
R DS(ON)= 70 m宽的V GS = 4.5V
R DS(ON)= 95 m宽的V GS = 2.5V
低栅极电荷
高性能沟槽技术非常低R DS(ON)
高功率和电流处理能力
应用/框图(S)
DC / DC转换器
电池保护
电源管理
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