HUFA76413DK8T_F085

概述

这些N沟道功率MOSFET的制造，使用创新的UltraFET ®过程。 这种先进的工艺技术实现了尽可能最低的每硅片面积onresistance，造成出色的表现。 此设备是能够承受高能量，在雪崩模式和二极管具有非常低的反向恢复时间和储存的电荷。 它是专为电源效率是非常重要的应用场合，如开关稳压器，开关转换器，电机驱动器，继电器驱动器，低电压总线开关，在便携式和电池供电产品的电源管理，使用。

特点

150 ° C最大结温
统计研究所的能力（单脉冲，重复脉冲）
超低导通电阻R DS（ON）= 0.0498486，V GS = 10V
超低导通电阻R DS（ON）= 0.058486，V GS = 5V
合格的AEC Q101
符合RoHS标准

应用/框图（S）

电机和负载控制
动力管理

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