概述
此设备是专门为一个单一封装解决方案,双切换在蜂窝手机和其他超便携应用的要求。 它具有两个独立的N沟道MOSFET与低通态电阻最低的导通损耗。 这些MicroFET的2x2提供特殊的物理尺寸的散热性能和线性模式的应用程序非常适合。
特点
2.9一个,30 VR RDS(ON)= 123MΩ@ V GS = 4.5伏
R DS(ON)= 140MΩ@ V GS = 3.0V
R DS(ON)= 163MΩ@ V GS = 2.5V
低调,在新封装的MicroFET的2x2毫米 - 0.8毫米最大 -
HBM ESD保护水平= 1.8kV(注3)
符合RoHS标准
无卤素化合物和氧化锑
应用笔记
AN - 0953:大会的MicroFET 2X2包装准则 “(133 K)2011年8月05,
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
------------------------------------------------------------------------------------------
资料录入: 润百年@电源管理IC
(RCC),电子元器件全球独立供应 商
本条信息深圳润百年电子有限公司所有,未经批准不得复制。