概述
P沟道MOSFET专门设计,以改善整体效率直流/直流转换器,使用同步或传统开关PWM控制器和电池充电器。
这些MOSFET具有更快的开关和低于其他可比的R DS(ON)规格的MOSFET的栅极电荷。
特点
3.4 A,30 V
R DS(ON)= 130 m宽的V GS = 10V
R DS(ON)= 200 m宽的V GS = 4.5V
开关速度快
低栅极电荷(2.5nC的典型)
高性能沟槽技术非常低R DS(ON)
一种广泛使用的表面贴装封装的高功率和电流处理能力
应用/框图(S)
电池充电器
马达驱动器
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