概述
RFD16N05和RFD16N05SM N沟道功率MOSFET的制造使用MegaFET过程。 这个过程中,它使用接近LSI集成电路的特征尺寸,给出了硅的最佳利用,造成出色的表现。 他们设计的应用,如开关稳压器,开关转换器,电机驱动器,继电器驱动。 这些晶体管可直接从集成电路操作。
前身发育类型TA09771。
特点
16A,50V
R DS(ON)= 0.047 W
温度补偿的PSPICE模型
峰值电流和脉冲宽度曲线
统计研究所的评价曲线
175 ° C工作温度
相关文献
TB334指引“PC板的焊接表面贴装元件”
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