概述
这N沟道MOSFET已专门设计,提高整体效率,并尽量减少使用同步或常规的开关PWM控制器的DC / DC转换器开关节点振铃。 它具有低栅电荷,低R DS(上 ,开关速度快和体二极管反向恢复性能得到了优化。
特点
最大R DS(ON)= 2.8MΩ在V GS = 10V,I D = 25
最大R DS(ON)= 3.5MΩ在V GS = 4.5V,I D = 19
低R DS(on)和高效率的先进的封装和硅结合
下一代增强机体二极管技术,软恢复工程。 提供最低的EMI肖特基在同步降压转换器应用性能
MSL1健壮的包装设计
100%UIL的测试
符合RoHS标准
应用/框图(S)
IMVP Vcore电压开关,用于笔记本
台式机和服务器VRM的核心电压开关
OringFET /负荷开关
DC - DC转换
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
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