概述
已专此N沟道MOSFET,以改善整体效率直流/直流转换器,PWM控制器采用同步或常规的开关。 它已被优化的低栅电荷,低R DS(ON)和快速开关速度。
特点
21 A,30 V
R DS(ON)= 35 m宽的V GS = 10V
R DS(ON)= 50 m宽的V GS = 4.5V
低栅极电荷(5nC典型值)
开关速度快
非常低R DS(ON),高性能的沟槽技术
应用/框图(S)
DC / DC转换器
马达驱动器
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