概述
FDS6994S是设计来代替两个单独的SO - 8 MOSFET和肖特基二极管的同步DC:直流电源供应器,笔记本电脑和其它电池供电的电子设备提供各种外围电压。 FDS6994S包含两个独特的30V,N沟道逻辑电平,旨在最大限度地提高电源转换效率的PowerTrench MOSFET的。
高边开关(Q1)的设计特别强调减少开关损耗,而低边开关(Q2)进行了优化,降低传导损耗。 第二季度还包括一个集成的肖特基二极管,使用飞兆半导体的单片SyncFET技术。
特点
2:优化,以尽量减少传导损耗包括SyncFET的肖特基身体二极管
8.2A,30V的R DS(ON)= 15.0 m宽的V GS = 10V
的R DS(ON)= 17.5 m宽的V GS = 4.5V
1:低开关损耗低栅极电荷(8.0 nC的典型优化)
6.9A,30V的R DS(ON)= 21.0 m宽@ VGS = 10V
的R DS(ON)= 26.0 m宽的V GS = 4.5V
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