概述
此设备是专门为在蜂窝手机和其他超便携应用的电池充电或开关负载。 它采用了低通态电阻MOSFET。
这些MicroFET 1.6x1.6薄的封装提供了卓越的的热性能的物理尺寸,非常适合开关和线性模式的应用
特点
最大R DS(ON)= 37mΩat的V GS = -4.5 V,I D = -5一个
最大R DS(ON)= 50MΩ的VG 小号 = -2.5 V时,I D = -4一个
最大R DS(ON)= 65MΩ在V GS = -1.8 V,I D = -3一个
最大R DS(ON)= 100MΩ,在V GS = -1.5 V,I D = -2甲
低调:在新封装的MicroFET 1.6x1.6薄0.55毫米最大
无卤素化合物和氧化锑
HBM ESD保护水平> 1600V(注3)
符合RoHS标准
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
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