FDME1034CZT

概述

此设备是专门设计的DC / DC“开关”在蜂窝手机和其他移动应用的MOSFET作为一个单一封装解决方案。 它具有独立的N沟道和P沟道MOSFET与低通态电阻最低的导通损耗。 每个MOSFET的栅极电荷也降到最低，让高频开关直接控制设备。
这些MicroFET 1.6x1.6薄的封装提供了卓越的热性能和它的物理尺寸，开关和线性模式的应用程序非常适合。

特点

问题1：N沟道

最大R DS（ON）=66mΩ，在V GS = 4.5V，I D = 3.4A
最大R DS（ON）=86mΩ，在V GS = 2.5V，I D = 2.9A
最大R DS（ON）=113mΩ，在V GS = 1.8V，I D = 2.5A
最大R DS（ON）=160mΩ，在V GS = 1.5V，I D = 2.1A

问题2：P通道

最大R DS（ON）=142mΩ，在V GS = 4.5V，I D = 2.3A
最大R DS（ON）=213mΩ，在V GS = 2.5V，I D = 1.8A
最大R DS（ON）=331mΩ，在V GS = 1.8V，I D = 1.5A
最大R DS（ON）=530mΩ，在V GS = 1.5V，I D = - 1.2A
低调：在新的封装的MicroFET 1.6x1.6薄0.55毫米最大
无卤素化合物和氧化锑
HBM ESD保护水平> 1600V（注3）
符合RoHS标准

应用/框图（S）

DC - DC转换
电平转换负荷开关

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
------------------------------------------------------------------------------------------
资料录入： 润百年@电源管理IC 
（RCC）,电子元器件全球独立供应 商
本条信息深圳润百年电子有限公司所有，未经批准不得复制。