概述
FDMS6673BZ已被设计在负载开关应用中,以尽量减少损失。 硅和封装技术的进步,已被合并,以提供最低的R DS(on)和ESD保护。
特点
最大R DS(ON)= 6.8MΩ在V GS = 10V,I D = 15.2A
最大R DS(ON)= 12.5MΩ在V GS = 4.5V,I D = 11.2A
先进的封装和硅结合低R DS(ON)
HBM ESD 8kV的典型(注3)保护级别
MSL1健壮的包装设计
符合RoHS标准
应用/框图(S)
负载开关在笔记本电脑和服务器
笔记本电池电源管理
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