FDC610PZ

概述
P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench ®过程中已特别定制，以最大限度地减少通态电阻和出色的开关性能保持低栅极电荷。 这些设备非常适合用于电池供电应用：负荷开关和电源管理，电池充电电路，和DC / DC转换。

特点
最大R DS（ON）=42mΩ，在V GS = 10V，I D = 4.9A
最大R DS（ON）=75mΩ，在V GS = 4.5V，I D = 3.7A
低栅极电荷（17nC典型）。
高性能沟槽技术非常低R DS（ON）。
SuperSOT™-6包：占地面积小（72％比标准的SO - 8）低调（1mm厚）。
符合RoHS标准

应用/框图（S）
DC - DC转换

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
------------------------------------------------------------------------------------------
资料录入： 润百年@电源管理IC 
（RCC）,电子元器件全球独立供应 商
本条信息深圳润百年电子有限公司所有，未经批准不得复制。