FDD8453LZ

概述

N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench ®过程中，已特别针对减少通态电阻和开关损耗。 GS齐纳已被添加到提高ESD电压水平。

特点

最大R DS（ON）=6.7mΩ在V GS = 10V，I D = 15A
最大R DS（ON）=8.7mΩ，在V GS = 4.5V，I D = 13A
HBM ESD保护水平> 7kV典型（注4）
符合RoHS标准

应用/框图（S）

逆变器
同步整流

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